Зарубежные интегральные микросхемы широкого применения

Оперативные статические запоминающие устройства емкостью 4 Кбит


Тип

Информа­ционная емкость (битХ разряд)

Время вы­борки адреса, но

Время цикла записи, не

рпот- мВт

Тип корпуса и количество вы­водов



 

n-МОП-типа

 

 

 

TMS4045-15JDL (JL, NL)

1024x4

150

150

550

КД-18, ПД-18

TMS40L45-20JL(NL)

1024X4

200

200

330

ПД-18

TMS40L47-20JDL

1024X4

200

200

330

ПД-20, КД-18

(JL, NL)

 

 

 

 

 

TMS4047-20JDL(JL, NL)

1024X4

200

200

550

КД-20, ПД-20

TMS40L45-25JDL (JL, NL)

1024X4

250

250

330

КД-18, ПД-18

TMS40L47-25JDL (JL, NL)

1024X4

250

250

330

КД-20, ПД-20

TMS4047-25JDL(JL, NL)

1024x4

250

250

550

КД-20, ПД-20

TMS4045-45JDL(JL, NL)

1024X4

450

450

550

КД-18, ПД-18

C2142-2

1024X4

200

200

475

КД-18

C2142L-2

1024X4

200

200

325

КД-18

D2114-2

1024x4

200

200

525

КД-18

D2114L-2

1024X4

200

200

370

КД-18

P2114-2DC, (2PC)

1024X4

200

200

500

КД-18, ПД-18

P2114-3 D2114-3

1024X4

300

300

525

ПД-18

P2114L-3 D2114L-3

1024X4

300

300

385

ПД-18

C2142

1024X4

450

450

475

КД-20

AM9130DDC (DPC)

1024X4

250

395

578

КД-22, ПД-22

AM9131CDM, (CPC, CDC)

1024x4

300

470

578

КД-22, ПД-22

AM9131BPC,

1024X4

400

620

578

КД-22, ПД-22

(BDC, BDM)

 

 

 

 

 

D2 147-3

4096 X 1

55

55

850

ПД-18

D2147

4096 X 1

70

70

750

ПД-18

D2147L

4096X1

70

70

675

ПД-18

D2141-2

4096 X 1

120

120

350

ПД-18

D2141-3

4096X1

150

150

350

ПД-18

D2141L-3

4096X1

150

150

200

ПД-18

D2141-4

4096X1

200

200

275

ПД-18

D2141-5

4096X1

250

250

275

КД-18

D2141L-5

4096 X 1

250

250

200

КД-18

TMS4044-15JDL(JL, NL)

4096X1

150

150

440

ПД-18, КД-18

TMS40L44-20JDL (JL, NL)

4096 X 1

200

200

275

ПД-18, КД-18

TMS4046-20JDL(JL, NL)

4096 X 1

200

200

440

ПД-20, КД-20

TMS40L44-25JDL(JL NL)

4096 X 1

250

250

275

КД-18 ПД-18

TMS4046-25JDL(JL, NL)

4096 X 1

250

250

440

КД-20, ПД-20


Продолжение табл. 3.16
 
 
 
 
 
 
TMS4044-45JDUJL, NL)
4096 X 1
450
450
440
КД-18, ПД-18
MK4104J-4, J-34, N-4
4096 X 1
250
385
150
ПД-18
MK4104J-35 }
 
 
 
 
 
MK4104N-5
4096X1
300
460
150
ПД-18
MK4104N-35 j
 
 
 
 
 
MK4104J-6, (N-6)
4096 X 1
350
535
150
ПД-18
ЭСЛ-типа
MB 7077
1024X4
25
 20
625
КД-22
F 10470 DC
4096 X1
30
25
1000
ПД-18
F100470DC, (PC)
4096X1
35
25
877
ПД-18, КП-18
КМОП-типа
HMI-6514-2 HMI-6519-9
1024x4
270
240
0,25
ПД-18
NMC-6514J-2 NMC-6514J-9
1024X4
300
420
0,25
 —
HMI-6514-5
1024X4
320
420
2,5
ПД-18
HMI-6533-2 HMI-6533-9
1024X4
350
475
0,5
ПД-22
HM9-6533-2
1024X4
350
475
0,5
КП-22
MWS5H4-5D, (5E)
1024X4
650
500
0,5
КД-18, ПД-18
MWS5114-D, (E)
1024X4
650
500
0,25
КД-18, ПД-18
HMI-6504-2 HM I -6504-9
4096 X 1
270
350
0,25
ПД-18
HM9-6504-2
4096X1
270
350
0,25
КП-18
NMC-6504J-2 NMC-6504J-9
4096X1
300
420
0,25
 —
HMI -6504-5
4096-X 1
320
420
2,5
ПД-18
HMI-6543-2
4096 X 1
350
475
0,5
ПД-22
HM9-6543-2
4096 X 1
350
475
0,5
КП-22
NMC6504J-5 NMC6504-N-5
4096X1
350
500
2,5
 —
ТТЛ-типа
SN54S400J(N)
 
[
 
 
 
SN54S401J(N)
4096X1
75
75
500
 — —
SN74S400J(N)
 
 
 
 
 
SN74S401
 
 
 
 
 
HM2540
4096 X 1
45
35
575
ПД-18
N82S400A-1 N82S401A-1
4096X1
45
70
775
КД-18
 
N82S400-1 N82S401-1
4096X1
45
35
775
КД-18
 
93470DC, (PC) 93471DC, (PC)
4096x1
55
30
950
ПД-18
 
93470DM 1 93471DM
4096X1
55
30
1000
ПД-18
 



1. Для ЗУ КМОП-типа указана потребляемая мощность в режиме хранения.
Texas Instr., 7141 фирмы Intersil емкостью 4КХ1 и 2614 фирмы Signetics, 2114 фирмы Intel, 4045 фирмы Texas Instr. емкостью 1КХ4;
2) тактируемые ОЗУ, в которых каждый раз для получения ре­зультата надо выбирать кристалл, а затем возвращаться к невы­бранному состоянию для перезарядки внутренних цепей. Потребляе­мый ток в невыбранном состоянии обычно меньше, длительность цикла примерно в 1,5 раза больше времени выборки адреса. Приме­ром ЗУ такого типа служат изделия 4104 фирмы Mostek и 6104 фир­мы Zilog с организацией 4КХ1 и 6114 фирмы Zilog с организа­цией 1КХ4;
3) нетактируемые ОЗУ с уменьшением потребляемой мощности, если кристалл не выбран (в режиме хранения информации). При­мером таких ЗУ являются изделия 2147 и 2141 фирмы Intel. Вре­мя выборки адреса равно длительности цикла. Статические ЗУ та­кого типа наиболее перспективны.
Постоянные запоминающие устройства выпускаются двух ти­пов: программируемые в условиях изготовления с помощью фото­шаблона (так называемые масочные ПЗУ) и однократно програм­мируемые в условиях эксплуатации (ППЗУ). Программирование осуществляется пережиганием плавких перемычек из нихрома, спла­вов титана или поликристаллического кремния либо запатентован­ным фирмой Intersil методом миграции алюминия при лавинном пробое, в результате чего транзистор в матрице трансформируется в диод, закорачивающий соответствующие шины. Недостатком ППЗУ является однократное программирование. Возможность jie-однократно изменять информацию присуща РПЗУ. Выпускаемые в настоящее время РПЗУ относятся к двум типам: РПЗУ с плавающим затвором и со стиранием информации ультрафиолетовыми лучами (типов FAMOS) и РПЗУ на основе МНОП-структур с электричес­ким стиранием и программированием. В 1982 г. появился новый класс электрически стираемых РПЗУ на основе двузатворных n-МОП-структур, в которых один затвор — плавающий — использу­ется для хранения заряда, другой — управляющий — для управле­ния процессом записи и стирания информации (например, РПЗУ 2816, 2817 фирмы Intel).В табл. 3.16, 3.17 приведены параметры наиболее широко применяемых статических ОЗУ емкостью 4 Кбит и однократно программируемых ППЗУ емкостью свыше 1Кбит.

Содержание раздела