сального назначения, обладающий низким уровнем
Микросхема К157УД2 — двухканальный операционный усилитель универ сального назначения, обладающий низким уровнем собственных шумов (типовое шачение напряжения шумов, приведенных ко входу ОУ, составляет 1,6 мкВ в полосе частот 20...20 000 Гц при нулевом сопротивлении источника сигнала). Операционный усилитель К157УД2 допускает большой диапазон входных дифференциальных напряжений, имеет защиту от коротких замыканий на выходе. Его можно использовать в самых разнообразных устройствах низкочастотной стереофонической аппаратуры.
Принципиальная схема ОУ К157УД2 приведена на рис. 2.
Входной каскад выполнен по дифференциальной схеме на транзисторах I Го, VT15 (VT7, VT16) с горизонтальной p-n-р структурой. Для получения максимального усиления использована динамическая нагрузка в виде отражателя тка на транзисторах VT8, VT13 {VT9, VT14), обеспечивающая также переход к не. имметричной нагрузке. Коллекторные токи транзисторов VT6, VT15 (VT7, I T16) равны 10 12 мкА и заданы генератором тока на транзисторе VT11 (V12) и резис.оре R2 (R3)
Прочежутчный каскад — усилитель напряжения — выполнен на транзисторах VF19 и VT21 (VT20 и VT22), включенных соответственно по схеме с ОК и ОЭ Здесь также используется динамическая нагрузка, образованная транзистором VT23 (VT24). Режим эмиттерного повторителя — транзистора VT19 (VT20) — выбран таким, чтобы нагрузка обоих плеч дифференциального усилителя была примерно одинаковой.
Усилитель мощности — двухтактный. Сигнал положительной полярности по-счупает на выход ОУ через транзисторы VT26 и VT37 (VT31 и VT40), отрицательный — через транзисторы VT27 и VT38 (VT29 и VT39), включенные составными эмиттерными повторителями. Начальное напряжение смещения, необходимое для уменьшения переходных искажений, выделяется на переходах база-эмит-гер транзисторов VT26 (VT31) и VT27,(VT30).
В усилителе мощное.и предусмотрена защита от короткого замыкания по выходу как при положительной, так и при отрицательной полярности выходного сигнала Ограничение тока происходит благодаря шунтированию выхода усилителя напряжения — коллектора транзистора VT21 (VT22) - низким сопротивлением открытых транзисторов VT34 (VT35) для сигнала положительной полярности и.,и VT33 (VT36) для сигнала отрицательной полярности при увеличении пагения напряжения на резисторах R8 (R11) и R9 (R10).
Транзистор VT17 (VT18) предотвращает перегрузку транзисторов VT19 VT21, VТ27, VT28 (VT20, VT22, VT29, VT30) при большом уровне входного сигнала Этот транзистор открывается при увеличении падения напряжения на резисторе R6 (R7) и шунтирует вход транзистора VT19 (VT20). Диод VD1 (1 D2) устраняет насыщение транзистора VT21 (VT22) и улучшает работу каскада на высоких частотах при максимальном выходном напряжении (особенно в начальной области режима ограничения)
![](image/mikroshema-k157ud2_1.jpg)
Рис. 2. Принципиальная схема двухканалыюго операционного усилителя К157УД2
Режим ОУ по постоянному току определяется генераторами тока на транзисторах VT11, VT23, VT25 {VT12, VT24, VT32) управляемых через транзистор VT4 (VT5) в диодном включении током транзистора VT2 (VT3), который, в свою очередь, возбуждается от общего для обоих каналов устройства стабилизации режима, выполненного на транзисторах VT1, VT10 и резисторе R1,
Устойчивая работа каждого из операционных усилителей с замкнутой петлей отрицательной обратной связи обеспечивается подключением корректирующих конденсаторов к соответствующим выводам (1, 14 или 7, 8) микросхемы. Необходимая емкость конденсатора определяется в каждом конкретном случае глубиной обратной связи. Возможно подключение корректирующих конденсаторов также и между другими выводами, например, между выводами 1, 13 (7, 9) или выводами 1 (7) и общим проводом источников питания.
При значительной длине проводов, подводящих напряжение питания к выводам 11 и 4, следует подключать дополнительный блокирующий конденсатор.
На рис. 3 — 6 приведены зависимости коэффициента усиления и максимальной амплитуды выходного напряжения от частоты усиливаемого сигнала для обоих ОУ В табл 1 приведены основные электрические параметры микросхем К157УД1 и К157УД2
Предельно допустимые режимы эксплуатации микросхем К157УД1 и К157УД2
Диапазон питающих напряжений, В
для К157УД1 ...........,,,,,., ±3.. ±20
для К157УД2..........., ,.....±3...±18
Синфазное напряжение, В, не более
для К157УД1................, . , ±20
для К157УД2 ...........,,,,,.,, ±18
Выходной ток, мА, не более
для К157УД1 .............., . , , , 300
Рассеиваемая мощность в интервале температур от — 25 до
+25, Вт, не более
для К157УД1 ..........,,,.,,,,, 05*; 1**
для К157УД2 ........-.,..,,,.,, 0,5
Диапазон рабочих температур, °С *** ......,.....__25... + 70
* Без внешнего теплоотвода.
** С внешним теплоотводом с площадью поверхности не менее 18 см2, *** При температуре выше + 25 °С рассеиваемая мощность рассчитывается по формулам:
для микросхемы К.157УД1 без внешнего теплоотвода
![](image/mikroshema-k157ud2_2.jpg)
для микросхемы К157УД1 с внешним теплоотводом и температурой теплоот-водящих выводов
![](image/mikroshema-k157ud2_3.jpg)
для микросхемы К157УД2
![](image/mikroshema-k157ud2_4.jpg)
Таблица 1
Микросхема |
Режим измерения |
К, не менее |
UВЫХ. max, В, не менее |
UCM, мВ, не более |
Iвх, нА, не более |
ЛУВХ, нА, не более |
Iпот, мА, не более |
Кос , сф, ДБ-не менее |
fсреза, МГц, не менее |
V2 , В/мкс, не ценее |
ДUсм/Дt мкВ/°С, не более |
нА/°С, не более |
К3ое ск, дБ| не более |
|||||
Rн,кОм |
Uи.п, В |
t, °с |
f = 0 ... ... 50Гц |
= 20 кГц |
не менее |
не более |
||||||||||||
К157УД1 |
0,2 |
±15 |
25±10 |
50 000 |
— |
±12 |
±5 |
500 |
150 |
9 |
— |
70 |
0,5 |
0,5 |
+ 50 |
±10 |
— |
|
70±3 |
30 000 |
1 |
±12 |
±8 |
600 |
200 |
9 |
— |
__ |
— |
— |
— |
— |
|||||
— 25 ±3 |
50 000 |
— |
±11,5 |
±8 |
1500 |
500 |
11 |
— |
__ |
— |
— |
— |
||||||
±18 |
25 ±10 |
50 000 |
— |
±15 |
±8 |
500 |
200 |
10 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
___ |
|||
±3 |
30 000 |
— |
±1,2 |
±6 |
600 |
300 |
8 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
|||
0 |
±5 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
400 |
1000 |
— |
— |
— |
— |
||||
К157УД2 |
±15 |
25 ±10 |
50 000 |
300 .. ... 800 |
±13 |
±10 |
500 |
150 |
7 |
— |
— |
70 |
— |
0,5 |
-80 |
|||
70±3 |
20 000 |
— |
±12,5 |
±12 |
500 |
150 |
7 |
— |
— |
— |
— |
±50 |
±5 |
— |
||||
2 |
— 25 ±3 |
50 000 |
— |
±12,5 |
±12 |
1000 |
300 |
9 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
||
±18 |
25 ±10 |
50 00С |
— |
±15,5 |
±12 |
500 |
150 |
9 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
||
±3 |
30 000 |
— |
±1,8 |
±10 |
800 |
300 |
7 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
|||
0 |
±15 |
— |
— |
— |
— |
— |
45 |
— |
— |
— |
— |
— |
— |
Примечания: 1. Корректирующая емкость равна 5 пф. 2. Значения скорости нарастания выходного напряжения приведены для ОУ, включенных по схеме повторителя нлпряженпя. 3. Коэффициент ослабления сигнала соседнего канала (переходное затухание).
![](image/mikroshema-k157ud2_5.jpg)
![](image/mikroshema-k157ud2_6.jpg)
Рис. 3. Зависимость коэффициента усиления от частоты усиливаемого сигнала для К157УД1
Рис. 4. Зависимость максимальной амплитуды выходного напряжения от частоты усиливаемого сигнала для К157УД1
![](image/mikroshema-k157ud2_7.jpg)
![](image/mikroshema-k157ud2_8.jpg)
Рис. 5. Зависимость коэффициента усиления от частоты усиливаемого сигнала для К157УД2
Рис. 6. Зависимость максимальной амплитуды выходного напряжения от частоты усиливаемого сигнала для К.157УД2