Электрические параметры

1	Разность напряжений эмиттер-база транзисторов &nbsp &nbsp 159НТ1А-В &nbsp &nbsp 159НТ1Г-Е	&nbsp не более 3 мВ не более 15 мВ
2	Прямое падение напряжения эмиттер-база при Iэ=1 мА	0,55...0,75 В
3	Обратный ток коллектор-база	не более 200 нА
4	Обратный ток эмиттер-база	не более 500 нА
5	Ток утечки между транзисторами VT1 и VT2 при U=20 В	не более 20 нА
6	Коэффициент усиления по току при UКБ=5 В, IЭ=1 мА &nbsp &nbsp 159НТ1А,Г &nbsp &nbsp 159НТ1Б,Д &nbsp &nbsp 159НТ1В,Е	&nbsp 20...80 60...180 более 80
7	Емкость эмиттера на частоте 10 мГц	не более 5 пФ
8	Емкость коллектора на частоте 10 мГц	не более 4 пФ